Фото Nature Nanotechnology
Коллектив ученых-физиков продемонстрировал первый транзистор, работающий на эффекте отрицательной электрической емкости. Исследование опубликовано в журнале Nature Nanotechnology.
Экспериментаторы использовали сверхтонкий слой полупроводника на соседний с затвором транзистора участке. Затвор модифицировали, сделав из сегнетоэлектрика вместо диэлектрика.
Отметим, в теории такие транзисторы были продуманы еще в 2008 году. Теорию разработали сотрудники университета Пердью в США. Новый тип транзисторов потребляет меньше энергии, чем обычные. Их эффективность ограничена из-за термоионных эффектов. Допороговый наклон вольт-амперной характеристики не может быть меньше 60 милливольт для увеличения тока в 10 раз, что представляет собой существенное ограничение для многих приборов.
